Samsung отримала грант у $6,4 млрд на будівництво комплексу з виробництва чіпів у Техасі
- Samsung отримала грант від влади США.
- Кошти в розмірі $6,4 млрд підуть на розвиток сектора виробництва чипів.
- Компанія модернізує вже працюючі об’єкти та закладе кілька нових.
- Влада США розраховує, що таким чином частка країни у світовому виробництві чипів зросте до 20% до кінця 2030 року.
Конгломерат Samsung отримав від американської влади грант у $6,4 млрд на будівництво нових об’єктів в Остіні, штат Техас. Кошти підуть на створення промислового комплексу з виробництва чипів.
«Інвестиції, що пропонуються, перетворять наявні потужності Samsung у Техасі на всеосяжну екосистему для розробки та виробництва чипів у США, включно з двома новими заводами, дослідницьким центром і пакувальним цехом», — ідеться в релізі.
Кошти також підуть на модернізацію вже функціонуючих об’єктів Samsung у Техасі. Крім того, в рамках досягнутої угоди компанія взяла на себе зобов’язання інвестувати близько $40 млрд у цей комплекс до кінця 2030 року.
Згідно з оцінкою влади, це створить додатково понад 20 000 робочих місць у штаті. У Міністерстві торгівлі США припускають, що угода також дасть змогу країні збільшити свою частку у світовому виробництві чипів до 20% до кінця 2030 року.
«Це забезпечить США лідерство не тільки в галузі розроблення напівпровідників, де ми посідаємо провідні позиції, а й також у виробництві, пакуванні та дослідженнях», — заявила міністр торгівлі Джина Раймондо.
Сектор виробництва чипів вкрай централізований. Компанія OpenAI, яка зіткнулася з нестачею цих комплектуючих, своєю чергою, також розвиває власне виробництво.
