Samsung получила грант в $6,4 млрд на строительство комплекса по производству чипов в Техасе
- Samsung получила грант от властей США.
- Средства в размере $6,4 млрд пойдут на развитие сектора производства чипов.
- Компания модернизуют уже работающие объекты и заложит несколько новых.
- Власти США рассчитывают, что таким образом доля страны в мировом производстве чипов вырастет до 20% к концу 2030 года.
Конгломерат Samsung получил от американских властей грант в $6,4 млрд на строительство новых объектов в Остине, штат Техас. Средства пойдут на создание промышленного комплекса по производству чипов.
«Предлагаемые инвестиции превратят существующие мощности Samsung в Техасе во всеобъемлющую экосистему для разработки и производства чипов в США, включая два новых завода, исследовательский центр и упаковочный цех», — говорится в релизе.
Средства также пойдут на модернизацию уже функционирующих объектов Samsung в Техасе. Кроме того, в рамках достигнутого соглашения компания взяла на себя обязательства инвестировать около $40 млрд в этот комплекс до конца 2030 года.
Согласно оценке властей, это создаст дополнительно более 20 000 рабочих мест в штате. В Министерстве торговли США предполагают, что соглашение также позволит стране увеличить свою долю в мировом производстве чипов до 20% к концу 2030 года.
«Это обеспечит США лидерство не только в области разработки полупроводников, где мы занимаем ведущие позиции, но также в производстве, упаковке и исследованиях», — заявила министр торговли Джина Раймондо.
Сектор производства чипов крайне централизован. Компания OpenAI, которая столкнулась с нехваткой этих комплектующих, в свою очередь, также развивает собственное производство.
